《第二届全国半导体集成电路硅材料学术会论文集摘要》求取 ⇩

第一部分 硅材料1

一、硅单晶质量1

提高大规模集成电路N型硅单晶质量的研究王大平1

区熔硅单晶在高压电镜中的加热动态观察巴群汝1

直拉硅单晶微缺陷组态的观察麦振洪 崔树范 林汝淦2

P型直拉硅单晶中漩涡缺陷生成的研究万群 秦福3

热处理对硅单晶电学性能的影响刘倩如 李艳荣 高敬媛 李丽华3

370℃硅中氧沉积的红外吸收观测李光平 张兆英 朱玉霄4

直拉硅单晶碳沾污的研究粱骏吾 黄大定 汪光川 尹恩华 杨雪珍 王承运5

硅中氧化层错的成核与生长鲍希茂 嵇福权 黄信氏5

多晶硅激光退火的研究邹世昌 林成鲁 倪如山 王济身 徐静芳 陈建武6

硅中注砷的连续CO2激光退火的研究邹世昌 林成鲁 林梓鑫 范宝华 吴恒显7

表面层无微缺陷的LSI硅片的获得万群 杜茂云 吴岱智 肖治纲 秦福 袁隐7

CZ硅单晶中的氧含量对微缺陷行为的影响张一心 程美乔 张泽华 刘淑琴8

热处理硅中的氧与碳许振嘉8

热处理硅中的氧碳沉淀许振嘉 蒋四南 孙伯康 刘江夏9

硅中碳的固溶度及单晶质量梁骏吾 邓礼生 郭钟光 郑红军 刘凤祥10

直拉法生长硅单晶时石英坩埚和石墨托埚之间的相互作用张维连 徐岳生10

重掺锑硅单晶电阻率均匀性和消除管道析出的研究施承启 陈育文 单春梅11

退火直拉硅单晶中漩涡缺陷的TEM观察钱家骏 范缇文 林兰英12

直拉硅漩涡缺陷形成的初步探讨林汝淦 张金福 麦振洪 崔树范12

SiC14氢化反应的探索——提高超纯硅实收率与纯度的途径刘凤伟 汪光裕13

汽相硅单晶生长斯崇奎 黄兆斌 杨传铮14

直拉硅单晶中氧条纹或漩涡分布图样的无缀饰X射线貌相观察徐岳生14

中子嬗变N型硅单晶在大功率晶体管中的应用楼定占 孙淑玉 等15

二、硅材料物理性质16

硅单晶退火工艺研究张永达16

多晶Si的激光辐照王永瑜17

用红外光弹性观测硅单晶中的应力赵寿南 尹洪辉 周佐平 顾学甫17

用氧化——沸腾腐蚀检测硅片中漩涡缺陷张家坚 王俊杰 李学博 严诗蕴 张永达18

“OS”法显示硅片漩涡时的雾状缺陷干扰及消除方法张家坚 王俊杰 李学博 严诗蕴 张永达19

双重吸杂机制的研究叶以正 周士仁 钦万昌 周伟东 杨奎 高扬19

国产多晶硅中的碳化硅微夹杂物和缺陷的电镜观察高愈尊 万群20

SiO2抛光损伤层厚度测量朱景梅21

硅单晶中漩涡缺陷显示的新方法陈存礼 陈强21

区熔硅单晶中的硅氢键及氢致缺陷麦振洪 崔树范22

TTL集成电路用（111）单晶硅片的晶向偏离试验李祥轩23

热处理硅中的新施主许振嘉 孙伯康 王万年 张泽华 刘江夏 何广平23

用光荧光法测定硅单晶中硼和磷的浓度孟庆惠 于鲲 李永康 许振嘉 陈廷杰 吴灵犀 徐寿定24

IMA分析中Si中B的离化率补偿曲线和Si中B的定量深度分析李之仁25

滚球机在测薄层厚度方面的应用陈德英 庄庆德 郑其径 吴振婵25

关于少子寿命测量中注入比的讨论曹泽淳 滕志义 张正明26

硅材料少子寿命分布的扫描测量技术——激光高频法曹泽淳 滕志义 陈世正 黄国松 吴正纯 张正明 黄家美 吴兰珍27

高频光电导衰减法测硅单晶锭中少子寿命的计算公式陈学全27

扩展电阻法测量亚微米硅外延层载流子浓度分布林树治 宋毅 魏广富29

由MOS结构对线性电压扫描的瞬态响应测定产生寿命和表面产生速度张秀淼 包宗明 苏九令29

用电子顺磁共振法测离子注入硅中的损伤缺陷王者福 张增佑 材料物理组30

中子辐照Si损伤的EER测量钱佑华 陈良尧31

用任意四点接触测量半导体薄层电阻率的表达式及其F数表孙毅之 张又立 徐维明31

绝缘边界对扩展电阻测量的影响陈存礼32

三、外延生长33

绝缘衬底上CVD多晶硅薄膜的激光处理石万全 姚德成 刘世祥 朱美芳 曹有祺 商作起 ？加峰33

SiCl4氢还原低压外延生长体系的热力学研究徐宝琨 赵慕愚33

选择外延工艺进展崔峘 朱忠伶34

硅同型外延界面与电活性离子注入分布的显微观测曾庆城 罗庆芳 朱向锋 王水凤35

多晶硅薄膜淀积的核化和早期生长郑其经 陈德英 庄庆德 吴振婵35

硅烷热分解进行单晶/多晶同步淀积庄庆德 陈德英 郑其经 吴振婵36

异常高速生长的硅晶塔及其动力学解释黄一湘36

硅微波大功率晶体管用的双层外延材料石志曾 胡福兴 彭佳馨 张桂香37

兰宝石上异质外延硅淀积条件的选择何林37

对通隔离的集成电路外延片上的滑移和堆垛层错顾毓洞38

用于p+-n-p+型高速I2L新结构的薄外延工艺姜延玲祁望春38

SiC14氢还原低压硅外延生长的研究刘倩如 李艳荣 王云生 刘明登 杨树人 许新民 李跃相39

硅多层变浓度外延研究须轮 陈宏毅 朱佩华 刁金珠39

对以有机胺及NaOH为介质的SiO2胶体抛光机理与工艺的探讨孙守志 朱家科40

低压CVD系统动力学研究及其工艺条件的计算丁成玉41

硅外延层中铁沾污量对微缺陷形貌的影响孙安纳 敖治有42

硅（111）晶片外延后图形微畸变的研究陈明琪 杨传铮 王广福42

电路芯片PN结隔离外延陈现应43

P型硅外延三溴化硼掺杂工艺安策43

冷冻纯三溴化硼作为外延掺杂源的探讨戴玉玲 黄再兴 曹翰林 陈秀玲44

激光法生长硅膜刘洪庆 郭雅生 吴振球45

硅外延衬底的位错闵靖45

封闭技术在P/P+型外延中的应用及效果姚家宁46

SiH4的连续红外激光化学反应吴振球刘洪庆47

硅外延翘边探讨刘玉岭48

P+πP双面外延片的试制张佩显宫瑞敏 纪金堂49

第二部分 半导体集成电路50

一、双极型集成电路50

微米亚微米双极集成电路设计理论佟慧茹 黄敞50

硅平面器件制造中诱生缺陷与发射区陷落效应尹洪辉 孟福坤 许立宪51

高精度低漂移集成运放KD207陈金松51

X63集成脉宽调制器林如霭 高石林 龙绍周52

1000MHz ECL超高速分频器蒋宗树 牛庆昌52

多元逻辑电路在多值逻辑系统应用中的新发展郑启伧 黄贯光53

用多元逻辑电路实现多值逻辑ROM和PLA郑启伦 郑学仁 黄贯光162

集成四象限模拟乘法器LE431的设计工艺与测试应用余关松 郭恩文 史载明 张瑞敏54

影响双极型大规模集成电路成品率的因素张敏55

TTL RAM 1024×1的研制吴佛春56

低电压微功耗按需型心脏起搏器集成电路茅有福56

一种减少TTL电路输入漏电流新结构的尝试沈昭年 杨宝同57

用多元胞自动布局方法设计LSI版图沙蕗 唐璞山57

注入逻辑存储单元写电流分析沈文正 邹务金 税有先58

TTL小规模集成电路母片设计法尹嘉祥59

有源馈电多元逻辑线性与或门王守觉 王玉富 石寅 谭茂恒59

用双层逻辑电路构成中大规模集成电路的研究林雨 魏书铭 勘学芝 等60

时钟发生器和驱动器电路的设计和工艺王志强 李柏生61

高速TTL电路输入交义漏电流的试验研究陈帮沂61

集成双极晶体管厄莱电压的研究秦世才 贾香鸾 王朝英 于本超62

集成电路逻辑综合新算法刘汉龙62

单片十位/八位数模转换器4E602电路研制鲍慧君 程君侠 洪远丰 王煜 章倩苓 邵丙铣63

横向扩散晶体管（TDT）何民才 李润梅64

用于集成多值逻辑DYL电路的阈值电路（MV-DYL阈门）郑学仁 刘百勇 黄兆俊 曾绍洪64

三值逻辑DYL的集成电路实现刘百勇 黄兆俊 郑学仁 曾绍洪 等65

三值多元逻辑电路（TV-DYL）线性“与或”门的瞬态特性刘百勇 郑学仁 黄兆俊 曾绍洪66

单片模拟集成锁相环KD8041谢家纯 赵天鹏 张鉴华 范传洲67

用于集成电路的铂硅肖特基结章定康 蔡俊莲 宗淑霞67

高输入阻抗运算放大器的失调电压的内部调整杨步仪68

高速低功耗TTL电路的探研复旦大学物理系 大规模集成电路研究室数字电路课题组68

TTL256×1位RAM的设计研制和测试蒋品荣 叶其蓉 陈鸿宾 管绍茂69

厄莱电压测试仪秦世才 贾香鸾69

集成压阻式压力换能器电路吴宪平 鲍敏杭 晋琦70

基于图形输入板的制版语言——ICMASK—709/D万咸明 喻凤鸣70

ICMASK——709/A制版语言万咸明 喻凤鸣71

用母片工艺法试制达国际水平的TTLIC黄顺华71

TTL——256随机存贮器的设计分析叶治平72

P+NP+型高速注入逻辑字符编码器的设计及工艺控制中国科学院计算技术研究所高速注入逻辑专题组72

提高TTL集成电路的有效途径——甚高速电路系列研制报告张吉华73

多元胞布局中自动布线的一种算法——快速最优通道布线算法（FOCR）吴祖增73

极高速多元逻辑电路（DYL）线性“与或”门的研究王守觉李致洁 刘训春 朱荣华 卢希尧74

二、MOS型集成电路75

052微处理器中国科学院上海冶金研究所微处理器小组75

一个小型机上的ISI CAD系统的方案及其初步实施洪先龙 柳西玲76

CHBL（高跨导复合管互补电路）的试制姚建楠 詹娟 茅盘松76

512×320位面阵CCD摄象传感器和固体摄象机俞忠钰 王炳雪 于步云77

短沟道MOS器件及1K静态高速RAM顾泰 王万业 李肇玲78

单管单元随机存贮器的读出放大器的瞬态分析和设计祝忠德 岑乐鼎 沈悌明 陈贤79

半导体化学敏感器——离子敏感场效应晶体管牛文成 丁世斌 于本超 王家华 任素梅 钱其璈79

1μMESFET/SOS集成电路制备及液氮温度下器件的工作特性沈国雄 赵鹏程80

8192位可改编程序只读存储器中国科学院上海冶金所EPROM小组81

八位CMOS模——数转换器蒋培成 周炘祥 朱荣锦81

CMOS六施密特触发器——CH40106沈雷 孙仿凤82

一种离子注入耗尽型MOSFET模型——φs模型但燊 张建人82

一种高速低功耗N—MOS静态RAM刘书泽 申明 徐葭生83

一台新研制的中大规模数字集成电路测试系统陈护勋 等83

16位MOS动态RAM电路设计仇玉林 陈朝枢 候秀芝 赵文元 和致经 王永燊 吴幼碧 金福林 芦胜林 滕学公84

短沟道离子注入N沟E/D型MAOS集成电路研究刘鹿生 林惠建84

LSI版图图形编辑软件系统ZB-792洪先龙 钟龙保 徐庆林 张文涛85

单元电路的计算机终端编辑功能谢文广86

77—Ⅱ型微处理机的工艺研制夏酉庭 孙吉伟86

MOS大规模集成电路五位码字符号电路设计杨学昌87

用多晶硅电阻负载的SRAM高保嘉 管洁87

MOS电容电离辐照效应及加固方法研究宋钦岐88

氧的本征吸除工艺探讨及其在表面器件中的应用河北工学院自动化系半导体材料教研室89

热壁低压多晶硅淀积与电荷耦合器件制造贾鸿智 张小林89

MOS晶体管反型沟道中载流子的霍尔迁移率邵丙铣 鲍慧君 程君侠90

潮气氛对PMOS栅漏电的影响陈玉琴90

双扩散VMOS阈电压简单分析刘可辛 罗升旭 苗庆海 梁本琪91

转移效率的测试分析李厚福92

半导体表面势阱中信号电荷的读取朱以南 李为翰 李治芳93

BiMOS集成电流跟随器赵腊月 钱其璈94

MOS反相器输入栅电容的取值问题吉利之 沈悌明94

高跨导10瓦复合NOS器件秦世才 王朝英 贾香鸾 于本超95

MOS场效应晶体管的温度特性王家骅 刘永 丁世斌95

无可控硅效应的CMOS八路交换子蒋培成 张全保96

短沟道n沟硅栅MOS器件——HMOS研制许康 罗桂昌 史遵兰 王为林 邵海文 季美华96

提高铝栅CMOS电路质量的探讨刘远华 朱荣锦 周炘祥 蒋培成97

CMOS256位随机存储器蒋培成 朱荣锦 刘远华 周炘祥98

单管动态RAM中S/R放大器的检测灵敏度分析陈弘毅 杨之廉98

自给衬偏电路的简单分析及设计汪仁里 石乘学 岳振伍99

MOS动态RAM设计中的测试分析赵文元 执笔99

短沟道离子注入MASFET林惠建 刘鹿生100

大规模集成电路测试王祥贵100

高频C-V方法测量埋沟道电荷耦合器件的沟道电势崔成烈 付志煌 吴瑞华101

一种很有前途的MOS器件——VMOS管孙彦卿 石广元102

基础材料质量对LSI电路成品率的问题江福来102

三、半导体工艺103

N沟硅栅工艺中沉积的二氧化硅层对光刻断铝的影响宋良元103

激光在线监控反应离子刻蚀技术邹斯洵 灶元成 李炳宗 王国兴103

双层多晶硅工艺研究及在16K位RAM中的应用海潮和 陈焕章 徐秋霞 户焕章104

平板电极等离子刻蚀铝王玉玲105

采用聚酰亚胺的等平面多层布线肖文105

大规模集成电路工艺中的高纯水闻瑞梅 朱章铨 董跃 崔惠国 余爱武106

优质高产低成本的LPCVD氮化硅膜的研究田国华 李荣英 谢淑萍 张淑兰 曹友琦107

电子束蒸发钼的质量评价武蕴忠 孙承龙108

低压化学蒸汽淀积（LPCVD）氮化硅薄膜的均匀性及LPCVD计算机模拟通式王季陶 沈兆友 付国治109

离子注入Si片的连续CO2激光退火郭建根 沈金萱 赵有源 何懋麟 高如芳 钱红声 屈逢源109

脉冲激光使硼在硅中扩散姚杰110

薄SiO2层的研究罗夷伦110

表面沟CCD器件制造中Si-SiO2结构特性的改善与监控范进先111

低压化学汽相淀积多晶硅工艺汪师俊 孙纪云 于庆江 叶惠珍 王桂霞 夏西庭112

Si栅等平面CMOS工艺骊山微电子公司 四车间CMOS工艺线112

微电子测试图形在双极型集成电路工艺中的应用高达源 朱华昌 孙月珍 陈卫平113

微电子测试图形在MOS集成电路工艺中的应用朱华昌 高达源 赵向娅 付定候 李广根 岑乐丁 吕以金 冯国彦113

浓硼微晶玻璃片状扩散源及微晶玻璃扩散机理的探讨华良甫114

大规模集成电路中的电子束蒸铝吴大维115

半导体清洗剂的示踪法优选与在半导体器件生产工艺中的应用荣庭文 秦俊法 王学波 李洪田115

低温化学汽相淀积SiO2—PSG—SiO2钝化膜在集成电路表面保护工艺中的应用蒋润富 佟世盐116

对以有机铵及氢氧化钠为介质的SiO2抛光机理与工艺探讨朱家科117

As离子注入和注入元素高温再分布讨论郑宜钧 范才有117

《MoSi—Si3N4-Al》双层布线黄国恩118

片状磷微玻璃扩散源在Si中扩散楼定占118

减压CVD设备应用的扩充潘桂忠119

磷在亚微米多晶硅薄膜中的扩散特性谢世忠 陈天鑫119

非晶硅薄膜的钝化作用何宇亮 杜家方 沈宗雍 李跃文120

外延用兰宝石衬底抛光的研究王缨 史月华 章熙康121

反应离子刻蚀（RSE）在微细加工中的应用严金龙121

多晶硅在I2L电路中的应用朱小明122

新型磷扩散源——片状磷微晶玻璃黄德琦 林关涛 薛正镠 陈春仙123

片状磷微晶玻璃扩散源在Si中扩散楼定占123

砷离子注入硅的研究卢武星 耒永春 卢殿通 王大椿 吴瑜光 罗晏124

砷离子注入硅中电学激活性能的研究卢殿通 耒永春 卢武星 王大椿 罗晏124

硅电化学掺砷的研究陈声涛 陈宝琼 劳彩玲125

二氧化硅的等离子体刻蚀史佩枋126

纯硅烷的再提纯夏立生126

化学汽相淀积掺砷多晶硅膜初探夏立生127

克服断铝的一种方法——磷硅玻璃回流胡永清127

用于ECL电路的高阻多晶硅隔离技术张承基 骆爱连128

用丝网漏印法在硅片上涂敷黑胶顾宗祥129

低压硅外延反应室内的温度分布王英民 李星文 李宝通129

集成电路中的多晶硅器件白玉鑫 玉百年 沈文正130

二氧化锡薄膜的不等温离子体蚀刻张华民 叶麦荣130

重掺杂衬底的热氧化规律郑增钰 程君侠 张国权131

刻蚀铬版时用等离子体控制光刻图形正负性的工艺方法马元龙131

等离子化学汽相淀积氮化硅设备与工艺钱福元 郑仰化 王怡德132

硅器件电泳涂漆工艺总结罗福新 丁成玉133

Nb-约瑟夫森结的制造工艺杨大炎 刘佑宝 张太峰 刘在琴 杨永坤133

低压化学汽相淀积氧化硅汪师俊 叶惠珍 孙纪云 于庆红134

低压化学汽相淀积氮化硅薄膜技术及其在MOS大规模集成电路中的应用吕以金134

多晶硅在集成电路中的应用白玉鑫 王百年 沈文正135

半导体器件的稳定性可靠性与表面钝化及SiO2 P2O5SiO2低温淀积工艺丛众135

反应离子铣及其应用金维新 盂宪光 尤大伟 胥兴才136

一种新的钝化膜——半绝缘多晶硅（SIPOS）万家训137

露点法检测腐蚀接触孔的质量吴德馨 徐秋霞 户焕章137

CVD多晶硅“发乌”现象的研究——表面处理对多晶硅膜表面粒度大小的影响赵玉玮 柴淑敏 高文方 刘淑珍138

812洗涤剂在场效应管清洗工艺中的应用祁金亮139

四、工艺监控与测量140

用PDP-11LIS型计算机对VDP测试结进行自动测试和数据处理郑木财 张翼140

微电子测试图形在集成电路工艺中的应用朱华昌 高达源 赵向娅 付定候 李广根 岑乐丁 吕以金 冯国彦140

激光退火对多晶硅结构和电学特性的影响王阳元 张国炳 徐瑶 李宝环141

集成电路工艺中的扫描电镜分析张明 刘永宽 刘学如 肖化明142

测定离子注入损伤层和光吸收膜的椭园偏振光谱法莫党 陈树光 叶贤京 林树汉142

一种快速测定MOS系统界面态密度分布的方法梁国芹143

硼离子注入硅剖面分布的研究李国辉 张通和 王兴民144

软x射线辐照在SiO2中引入的中性陷阱郑有炓 吴凤美145

注入样品激光退火杂质再分布效应的SIMS测定邹世昌 柳襄怀 林成鲁 陆东元 阮刚145

“全息”SIMS陆东元146

用MOS恒流瞬态谱线研究Si-SiO2系统中可动离子的能量分布谭长华 许铭真 李树栋146

中大规模电路芯片剖面结构的显微分析曾庆城 倪敏 朱向峰 罗庆芳 王水凤147

干法腐蚀过程中腐蚀速率和终点检测（He-Ne激光方式）杜元成 王国兴 邹斯洵 周正利148

集成电路工艺模拟程序SUPREM-2的移植及初步检验阮刚 周正利148

三角波扫描C-V法快速确定少子寿命和表面产生速度的实验技术陈伟秀 石仲斌149

大功耗双列直插外壳结构设计及热阻测试方立明 叶曾达149

硼离子注入硅再扩散的研究王新民 卢志恒 李国辉 张通和150

MOS器件沟道迁移率的测量秦世才 贾香鸾 于本超 王朝英151

可动氢离子引起的MOS结构不稳定性郑有炓 吴凤美 江若连 周光能151

用DLTS技术测定和分析半导体器件中的深能级杂质孙勤生152

硅衬底上SiO2薄膜介质层的击穿特性研究王为林 何德湛 翁建华 许康153

用光导仪测量热生长SiO2中的陷阱王为林153

栅氧化工艺监控中“MOS-O”结构的C-V特性何德湛154

脉冲C-T法及其在MOS工艺监控中的一些应用何德湛154

从MOS非稳态I-V特性测量硅体陷阱参数吴凤美155

砷注入硅的射程分布的测量与计算戴仁之 邹世昌155

场控P-N结击穿特性刘玉书157

气泡法显示针孔的原理及应用童清云 杨文勇 张兵 邝野158

适用于工艺流程中检测透明介质薄膜质量的椭园偏振光测试法王守武 金才政 刘璐159

硅片上磷硅玻璃薄膜中高磷的分析高金玺159

半导体器件的两维计算机模拟有限元法谈根林 梁民基 武云健160

一个面向集成电路的分析程序ADIC-1谈根林 马玉良 梁建湘 刘燕军 刘凤先 汤平 刘秀芝160

利用计算机进行范德堡自动测试和数据处理以检验半导体掺杂工艺的均匀性和重复性曾文通 郑木财 刘玉书161

第三部分 半导体专用设备163

TDR-60型大直径直拉硅单晶炉（样机）的研制朱黎辉 石观雨163

电子束投影曝光装置研制的新进展张祥龄164

光刻设备中自动对准技术的研究阮玉 白驹？ 游立德 邵娟164

投影光束微细加工技术的研究赵立人165

LK-1离子束刻蚀机 1448所离子束刻蚀组165

超高纯氢的获得与制取设备李治昌166

关于扩散炉温度控制精度和长期稳定性研究施广大 范宝山167

离子成象注入机的研究张立宝 马祥彬 陈春华 李金荣 王纯 凌仲珪 孙宝银167

国内外光刻机研制状况徐鑫培 沈建森168

激光干涉仪在精缩机中的应用凌天仁169

氮气终端化装置的研制吴彦敏 于广洲 闵仁福 周继芝169