《第三届全国半导体集成电路硅材料学会会论文集摘要》求取 ⇩

特邀报告1

超大规模集成电路的发展王守武1

原生微缺陷的热处理行为及其对硅中氧沉淀的影响林兰英2

超大规模及超高速集成电路黄敞2

用于制备LSI及VSLI的单晶硅材料问题宋秉治 孙膺九3

VLSI极限和器件图形微细化李志坚5

硅单晶中碳化硅微夹杂的来源的研究万群 李玉珍 秦福 罗守礼7

第一部分 半导体材料硅1

一、硅材料制备及性质1

低温法制备高纯SiHCI3的理论探讨王锦生 宋秉治 何祖云 于蕴庭 赵光朴 董增文 刘淑敏 赵永发1

钛冷凝器在三氯氢硅精馏中的应用峨眉半导体材料研究所材质试验组2

大直径硅单晶制备中氩气的单级提纯及净化张忆延6

高纯四氯化硅的制备傅雄强 张蓬英 宁培琪8

关于硅晶体中体层错的研究肖治纲 吴杏芳 宋志毅 陈晞10

硅单晶片的表面热诱导微缺陷的主要起源及其消除方法张一心 程美乔 刘淑琴11

硅中磷沉淀引起的一种位错环列谢茂浓 张景韶 潘文元12

改善硅单晶轴向氧分布的工艺试验黄有志14

生长条件与漩涡缺陷形成关系的探讨林汝淦 张金福15

直拉硅片中热生微缺陷的形成与行为郎益谦16

原生无位错直拉硅单晶中与氧有关漩涡缺陷的电镜观察钱家骏 褚一鸣 林兰英18

掺硼直拉硅单晶中杂质条纹及漩涡缺陷分布黄大定 赵力群 汪光川 梁骏吾19

弯月面对直拉硅单晶杂质分布的影响梁骏吾 Torbjorn Calberg20

生长条件对直拉硅单晶微缺陷形成的初步探讨麦振洪 崔树范 傅全贵 周康权 李积和21

大直径直拉硅单晶内在质量的控制朱黎辉 石观雨22

热处理与少子寿命关系倪玫23

直拉硅单晶的热处理杨洪林26

硅片表面的线状杂质团刘芝连 吕山君 常冬青28

硅单晶中的硅氢键和氢致缺陷麦振洪 崔树范29

掺氮区熔硅单品的研究梁骏吾 邓礼生 范缇文 郑红军 刘凤祥30

含氮区熔硅单晶杨昌儒30

溅射a-Si:H质量与溅射时衬底温度的关系罗晋生 戎霭伦32

氦和氢气体对GD a-Si:H性质的影响马洪磊 曹宝成 李淑英 陆大荣34

SiCI4外延乙硼烷掺杂的热力学分析安策36

矩形反应器的速度分布和质量输运金希卓 刘明登 耿焕珍38

低压溴气相抛光技术的研究李艳荣 刘倩如41

三溴化硼掺杂源浓度稳定性与掺杂源初始浓度的关系罗振英 孙以材43

用部分离化束的方法实现Si在Si上的外延秦复光王向明 杨光荣45

P/P+硅外延掺杂技术的研究刘倩如李艳荣48

P/P+型外延层电阻率均匀性、一致性控制罗振英 孙以材50

硅外延气相掺杂法吴凤朝 耿焕珍 刘恩沛52

推荐一种外延硅源朱忠伶 崔峘54

硅外延层杂质分布的均匀性、一致性与自掺杂效应孙以材 罗振英56

硅外延层厚度一致性的实验研究刘玉岑 申勇 韩义58

高阻P型硅外延片的研制王锦生 宋秉治 何祖云 于蕴廷 赵光朴 董增文 刘淑敏 赵永发59

外延片滑移线的分析与实验王鸣启61

VMOS器件N/N+（100）硅外延工艺张永达李继光62

N/P硅外延的自掺杂控制刘倩如 李艳荣63

衬底对硅烷外延生长速率的影响章熙康 顾隆道65

低压外延生长的动力学分析刘倩如67

N型<100>硅外延片的试制张佩显 宫瑞敏 纪金堂69

SiC14外延生长硅晶体中碳沾污的热力学研究徐宝琨 赵慕愚71

硅单晶中氧碳杂质在热处理时的行为梁骏吾 邓礼生 郑红军 刘凤祥73

硅中碳的行为与影响孙膺九74

多晶硅中碳化物的实验与理论研究万群 李玉珍 徐宝琨 赵慕愚76

多晶硅中碳的来源及其去除方法的探讨晋华正78

SiC14氢还原低压硅外延生长碳沾污的研究杨树人 刘明登 许新民 傅则忠 李玉珍79

硅衬底上多晶硅薄膜的固相外延张利春 倪学文 高玉芝 阎桂珍 沈悌明81

低压化学汽相淀积无定形硅的固相外延王阳元 C·Jou 等81

硅片的“雾缺陷”及其本征吸除效果杨梦燕 耿锡锟 毛幼馨 赖群 章明智 宋润城 杨庆芳 刘卫国82

双吸除技术对提高LSI所用硅单晶性能的作用周士仁 叶以正 陈德源 王志加 邵全法 杨家德 胡世忠84

本征吸除工艺研究王贵华 王东红85

CZ硅的内吸除及其在MOS LSI中的应用郑鸿宸 执笔87

内吸除热处理的几个问题徐岳生 张维连 林秀俊 任丙彦 陈国鹰89

金属杂质沾污与雾缺陷徐冬良 郭如芳 聂秀琼 李吉海 余斌 谭玉华 燕朝林91

关于本征吸除的几个问题讨论张一心 程美乔 张泽华 刘淑琴92

氧本征吸收在MOS器件工艺中的应用许康 王为林 罗桂昌 史遵兰 邵海文 季美华 翁建华93

本征吸除在LSI生产中的试用实验结果马浩然 曹介福 杨模诗 张一心 程美乔 张泽华 刘淑琴96

本征吸除技术在三吋硅片上的应用王东红 陈德源 叶以正 王贵华 邵全法 李银波 许平98

NTD CZ Si的退火行为研究孟祥提 张秉忠100

NTD硅轴向杂质均匀性的研究徐文耀102

NTD在半导体器件中的应用伍烈城103

NTD硅CO2激光退火研究潘家齐 丁乐礼 傅汝廉 开桂云105

二、理化分析、方法与测试106

利用MOS恒定电荷法测定半导体少子的体产生寿命谭长华 许铭真 李树栋 陈文茹106

宝石激光器辐照下的硅表面氧化问题王忠烈 汉·惠斯登杜布 弗·萨里斯 许振嘉 陈维德107

Pt/Si和Pd/Si肖特基接触的XPS研究戴道宣 鲍敏杭 田曾举 姜国宝109

洁净硅片表面的低损耗SIMS分析杨存安 王化文111

掺氧多晶硅薄膜的组分分析王云珍 陈心和 李月珍113

金在硅-氮化硅界面的电学效应李思渊 李寿嵩 王毓珍 张同军115

掺镧（La）Si/SiO2界面电学性能的研究李思渊 李寿嵩 张同军 王毓珍118

洁净硅片表面质量的AES分析王乃铸 王志 张永康 王化文 王彦才 谭立雅120

A1/Pt Si/Si肖特基接触的AES研究戴道宣 鲍敏杭 田曾举 姜国宝 许俊 邹惠良122

硅晶体中氢缺陷红外光谱的理论分析高国荣 辛耀权124

结深、表面杂质浓度和结电容、表面肖特基势垒电容关系的理论计算王万录 廖克俊126

在范德堡测试结构中对平面非平行圆片样品电阻率公式的推证陈威 孙毅之 徐维明 张又立130

半导体材料硅、砷化镓的光学常数和相移的数值计算李光平 何秀坤130

微分剥层中硅阳极氧化的研究陈蒲生 黄友三 刘承辉 姜晓燕 梁海生 陈静娟132

硅在氧等离子体中的阳极氧化刘春荣汪光纯135

超薄氧化膜在n/n+硅外延测试中的应用张镜容 卢伟泉 张凤兰 李汝强137

微处理机在C-V测试中的应用周小茵 金才政140

一种提高硅单晶光学定向精度的新技术侯承贵 宋登元 郭宝增143

扫描电子束退火硅片的电学性质郑丽荣 陈进145

硅（100）面漩涡缺陷不同腐蚀液显示的微观形貌张家坚 李国江148

硅中微区氧的测量方法雷沛云 郑怀德 孙伯康 张泽华150

一种能测定高掺杂浓度的新方法杨耀鑫152

对硅单晶中的杂质检测吕淑求 陈国鹰154

脉冲MOS C-V法检测n沟区离子注入杂质浓度分布何德湛156

自Si衬底向SiO2的热电子发射的实验测量陈永珍159

气相反应——气相色谱法对SiHCl3中有机物总碳的检测叶与录162

氢气中痕量CO、CH4、CO2的气相色谱法测定叶与录 李泉 于进才 陈惠聪 李兰枝163

硅片上磷硅玻璃薄膜及多晶硅层中磷浓度的比色测定陈惠英164

改进的高频法电阻率测量张洪川 陈永同 谭松青167

自动扩展电阻探针仪张敬海 包宗明 林绍基 汤亚如168

半导体深能级的二种新的DLTS测量方法孙勤生169

半无穷大样品中非均匀光注入条行下寿命测量的研究陈修治171

1.085微米红外光源硅单晶寿命仪阙端麟 赵榕椿 姚野172

（100）硅单晶定向光班对应晶面的研究侯承贵 宋登元 郭宝增172

用激光反射法测量硅-介质膜的界面应力孙沩 王一谦 陆美蓉174

P-N结横向扩散宽度测量方法的探讨陈蒲生 梁海生 刘承辉 黄友三175

硅圆片平整度及其测试张志刚177

对集成电路工艺检测用钨探针的若干改进傅定侯180

第二部分 集成电路181

一、双极集成电路181

氧化物隔离ECL100K电路刘英清 肖钊谦181

门延迟5.5ns的高可靠LSTTL系列电路牛庆昌 刘自成183

彩色电视机色通道电路的研制白元根 曹建安 葛垂安 骆季奎185

集成模拟乘法器单端输出电路分析鲍天保186

一种低压微功耗运放电路戴玉明 徐素坤 王立190

S与LS系列TTL集成电路中的肖特基器件沈文正192

四值电压型转换逻辑集成电路郑学仁 黄兆俊 陈斗南 贝承训195

三值TTL与非门研究宋兆元 张廷庆 刘家璐 李良能196

I2L多值逻辑电路的研究张廷庆 宋兆元 刘家璐198

非门极少的逻辑综合——DYL电路逻辑设计讨论刘汉龙200

双层双极集成电路的研制白玉鑫 税有先202

双门限电压比较器工作原理与测试分析李嗣德204

ECL100K电路的温度补偿和电压补偿冯庆瑞 张振华207

W7800系列集成稳压源的设计特点郦扬成210

集成电路与晶体管稳压电源的计算机辅助分析范贻明213

一个新的优化算法及其在电路机辅设计中的应用谈根林 吕炳仁215

“BL”相机专用集成电路试制郑玉琦218

一种电子相机专用集成电路的设计刘晓淮221

超导触发器张礼德 戴远东 高亦涵223

集成模拟乘法器误差的快速检测鲍天保 徐淮琪228

硅pin二极管在大的电注入情况下的红外发光特性谢孟贤230

监控低功耗肖特基TTL集成电路系列研制的微电子测试图形黄敞 沈文正 边江231

单片集成高压显示电路的研制张煌志 宋长江 王永义232

一种适用于高温工作的新型晶体管仲玉林 丛众 刘秉政233

STTL中SBD面积设计分析模型和SBD欧姆接触特性林雁234

二、MOS集成电路236

高速4K×1位静态MOS RAM李肇玲236

CM2114 4K静态RAM的设计祝忠德 陈贤 宁宝俊 盛世敏238

16K位可改编程序只读存储器的研制上海冶金研究所EPROM研制组240

硅栅CMOS1024位随机存储器上海冶金研究所一室CMOS组241

EEPROM存储单元特性研究勒东明 朱钧 熊大菁 李志坚242

短沟道MOSFET的实验研究滕学公 仇玉林 侯秀芝 陈潮枢245

全离子注入CMOS电路中N阱的设计童勤义 唐国洪 陈德英 庄庆德246

CMOS电路最经济结构的设计方法谢世健 赵文霞 蔡世俊249

硅衬厚度和背接触势垒高度对MOS电容器性能的影响夏永伟 孔令坤 张冬萱252

DG0040的设计与工艺仲进才252

BAD-32抽头模拟延迟线朱以南 李为翰 舒辉然255

一种集成开关电容滤波器陈志良 南德恒 石秉学257

E/DMOS电压基准汤庭鳌 郑增钰 程君侠259

CM2114 1K×4 NMOS SRAM的CAD模拟计算和CAT测试徐葭生 杨肇敏 张明宝 朱麟祥262

抗锁工艺及其数据分析赵春城 魏占发263

Cμ8085A的逻辑、电路及版图设计特点——Cμ8085A研究报告之一岳震伍 羊性滋 王嵩梅 齐家月266

Cμ8085A工艺参数的确定——Cμ8085A研究报告之二李林法 张建人 蒋志 吴正立268

Cμ8085A中MOSFET阈电压的控制——Cμ8085A研究报告之三吴正立 张建人 蒋志 李林法272

Cμ8085A的芯片测试分析——Cμ8085A研究报告之四郭尚才275

Cμ8085A微处理器实时功能比较测试——Cμ8085A研究报告之五孙义和 陈兆龙277

自举漏举它举电路中自举电容的选取金功九孙国樑279

金属/a-Si:HC/α-Si:H/C-P+Si结构存储单元的实验研究王万录281

N阱全离子注入硅栅CMOS工艺中短沟和窄沟MOS晶体管的某些实验特性刘忠立282

用MOS工艺研制低速调制解调器的几个关键问题张正刚284

磷扩散短沟道MOS管的剖面结构汪仁里 杨立锦286

高速铝栅CMOS计数器的设计谢世健 赵文霞237

MNOS存储管版图结构设计张尔保 姜洪福290

封闭硅栅CMOS电路的最佳设计谢世健 丁璇英 赵文霞 朱静远 张成锦292

Bi-CMOS运算放大器李道隆 冯国彦 蒋键飞295

CMOS运放和比较器设计分析赖宗声 蒋健飞 瞿玉宝 岑乐鼎298

VVMOS场效应晶体管高表面场特性分析刘可辛 付预 李宏300

双极-MOS相容型四路模拟开关电路的研制张煌志 魏凤？ 白元根303

MOS结构的热电子效应吴凤美 郑有炓304

心脏起搏器电路单片集成的相容性问题茅有福 徐慰君306

2nR扩散电阻链DAC的失配分析及改进方案金功九308

一种典型双积分A/D转换器的电路分析盛世敏 莫邦燹310

一种单片MOS八位A/D转换器金功九 李瑞伟312

一种新型的数模转换取样电路及比较器岑乐鼎 潘尧令313

集成电路芯片显微照相的新技术石仲斌 洪克文316

关于8085A版图设计的某些讨论李华319

自举电路的简捷设计卢林319

E/D驱动电路的最佳设计卢林322

CMOS音乐集成电路的初步研究沈悌明 张利春 倪学文 阎桂珍324

十位模数转换（A/D）器逻辑控制部分集成电路4E702郑增钰 程君侠 鲍慧君 张国权 孙林根326

一种新型CMOS单片8位A/D转换器——ADC0801解剖分析岑乐鼎 潘尧令 肖伟根327

介绍一种带自动恢复电路的单电源16k DRAM的设计陈贤 宁宝俊329

三、集成电路工艺331

聚酰亚胺膜的制备及其刻蚀工艺的研究廖萃荃331

φ75mm硅片等离子体刻蚀系统杜元成 王国兴333

无显影光刻机理的探讨刘济民 郭增权 李大虹335

反应离子刻铝张崇玖337

用SF6反应溅射腐蚀多晶硅的工艺研究李秉臣 李泰敏 陈志才338

LPCVD法制备多晶硅膜的工艺研究曹寿武340

LPCVD重掺磷多晶硅薄膜淀积工艺何运恒 孙德明 李舒明 蒋翔六343

低压化学汽相淀积半绝缘多晶硅的性质研究瞿冬青 李洪鑫 李彦波345

激光增强低压化学汽相淀积多晶硅膜王英民 李星文347

多晶硅生长中气压的影响李星文 王英民348

离子注入多晶硅的电子束退火张国炳 王继红 卢殿通 陶敦仁351

多晶硅膜的热氧化王阳元 张爱珍353

重掺杂多晶硅氧化后的形貌张爱珍 王阳元354

有侧向籽晶的激光再结晶硅膜MOSFET马滕阁 林惠旺 钱佩信 李志坚355

常压氢氧合成氧化工艺及其在集成电路生产中的应用赵小林 朱美华357

氢氧燃烧的水汽氧化系统中氢氧反应条件的研究徐元华359

硅的常压氢氧合成水蒸汽氧化和致济 傅志煌 梁桂荣361

MOS LSI用优质薄栅SiO2介质的制备许康 史遵兰 罗桂昌 王为林 邵海文 季美华363

非常薄的SiO2膜的生长和特性熊大菁 朱钧 于诗南 侯东彦366

动态16KRAM中的氧化工艺研究刘显明 李锦织 敖玉贵368

等离子增强化学气相淀积氮化硅汪师俊 夏酉庭 马林宝369

扩散型等离子CVD-Si3N4膜的制备与性能曹友琦371

用新的LPCVD型PCVD技术淀积钝化薄膜王季陶 王焕杰 连美华376

LPCVD-Si3N4的工艺研究张佐斌 严伟 郑志磊378

低温等离子体淀积氢化氮化硅薄膜樊国华 肖仲杨 汪树成380

SiH2Cl2-NH3体系低压化学气相淀积氮化硅叶惠珍 马林宝 汪师俊381

LPCVD三维摸拟的探付张世理 王季陶383

LPCVD膜层均匀性机理李祥轩 撒应虎385

HC1的清洁作用和Si3N4钝化性能的联合应用陆德仁 叶树萍 顾为芳387

反应离子刻氮化硅和多晶硅张崇玖389

氢化非晶硅钝化膜在MOS器件上的应用何宇亮 杜家方 叶峰 熊承堃 张荣欣 沈泳兴 薛自391

氮化硅薄膜对集成晶体管特性的影响吴宪平 晋琦 杨恒青 沈兆友392

氮化硅-二氧化硅结构作为栅介质在HMOS大规模集成电路中的应用蹇哲人 蔺景书394

10兆赫高性能大规模集成电路测试图案发生器的研究林雨 林梅梅396

脉冲激光退火集成电路掩蔽工艺研究石万全 柳雪君 刘世祥 商作起 虞嘉峰 李大虹397

降低器件噪声的亚表面埋层工艺丁成玉399

用As乳胶源扩散工艺制作微米沟道硅栅NMOS器件宋良元400

As离子注入多晶硅制备高浓度浅结的研究来永春 张通和 罗晏 沈京华402

As离子通过薄SiO2层注入单晶Si制备高浓度浅结的研究罗晏来永春 张通和 沈京华404

Ne+、Ar+、Kr+注入Ge的损伤模型云镇 赵鸿麟406

LSTTL电路的金属系统史佩枋 李林408

微电子测试图形对CMOS工艺的监控效益朱华昌 薛自 李广根 高达源 傅定候 赵向娅410

TTL生产工艺及其计算机模拟叶治平412

用于MOS功率集成电路的VVMOS与NMOS相容技术研究张蓓榕 徐静芳416

CMOS/SOS集成技术研究罗夷伦 杨建鲁 刘俊哲418

便携式LSI通用测试仪徐中佑420

掩膜套准测试结构的应用桂力敏 贺德洪 瞿斌 陈平422

LSI工艺中材质对高纯水的污染及选择闻端梅 陶缔先423

高纯水中钠的监控及其对电路成品率的影响张连贵 王铁坤425

钼-硅欧姆接触研究武蕴忠 孙承龙 徐梅芳427

光学反射法在线监控的应用严金龙 沈国雄 蔡根 陆民山 杜冰莹 陈宣兆429

磷硅玻璃薄膜在大规模集成电路中的应用曾天亮 江志庚 乐金媛 徐桂英431

迴流技术在LSI中的应用胡志明432

常压液态源淀积磷硅玻璃及迴流工艺庄庆德434

硅单晶片的SiO2抛光机理探讨施为德 陈宝印 刘秀英436

对Speed FAM型抛光机用的抛光液探讨朱家科 李桂森438

SiO2抛光技术与抛光机理探讨刘凤伟 赵国安440

用金属杂质和缺陷的自吸除工艺消除硅器件的二次缺陷和制备低噪声超增益晶体管林军441

等离子射频退火的实验研究李克宽 赖家培443

关于双极型集成电路埋层图形的变形卢文豪 宋毓培 严福宁444

单层胶的铝剥离工艺张礼德 张百虎 秦建颖 陈勇446

镍质微孔膜小型高效过滤器的滤尘性能及其在氧化工艺中的应用和致经 傅志煌447

电火花修正技术杜支华王德厚448

P/P+硅外延中废片的回收利用杨瑶林 顾燮煜 关春堂451

掺砷乳胶源在IC埋层扩散工艺中的应用廖太仪453

用冠醚除去硅表面的碱金属杂质胡绪洲456

等离子腐蚀多晶硅条件的选取吴政长 邓志刚459

硅中硼磷扩散的二维分布及其差异邓长吉 曾庆诚459

在双极电路中硼离子注入条件的选择李国辉 阎凤章 吕贤淑 苏绍义 白兴元461

介绍一种简易的平板型刻蚀装置张崇玖463

改造风雷化学抛光机用SiO2抛光刘广礼 赵淑琴464

氧化物隔离工艺的发展刘英清466

HC1在MOSFET中的应用陆德仁 顾为芳 叶树萍469

VMOS表面平整度及对电性相关影响机理张建成 方龙森469

适合微细加工用的高亮度点离子源和亚微米离子束耿漫 段玉469

硅集成电路制备中隔离扩散工艺条件的选择刘玉岭 保爱林 李智明469

MNOS非易失性存储器薄氧化层热生长的研究王爵树 程同广 刘德忠469

关于812洗涤剂在结型场效应管生产线上清洗机理的研究和实际应用祁金亮469