《SEMI标准年鉴 1987 第6卷》求取 ⇩

E 122-72(1979)评价一批产品或一个工艺过程平均质量样本大小选择的标准推荐规程E 177-71(1980)应用于材料性质测量中精密度和准确度术语使用的推荐规程E 228-71(1979)用石英玻璃膨胀计测定硬质固体线性热膨胀的标准方法F 21-65(1983)用喷雾试验检查疏水性表面薄膜的标准方66

F 47-84用择优腐蚀技术检测硅晶体完整性的标准方法F 76-84非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数的标准测试方法F 80-85用腐蚀技术检测外延沉积硅晶体完整性的标准方法F 81-77(1982)硅片径向电阻率变化的标准测量方法121

F 84-84a用直线四探针测量硅片电阻率的标准方法131

F 95-76(1981)用红外反射法测量相同导电类型衬底上硅外延层厚度的标准方法F 110-84用磨角和染色技术测量硅外延层或扩散层厚度的标准方法F 120-75(1980)单晶半导体材料中杂质红外吸收分析的标准规程F 121-83ε1用红外吸收法测量硅中间隙氧原子含量的标准方法F 123-83ε1用184

F 374-84用直线四探针测量硅处延层、扩散层和离子注入层方块电阻的标准方法214

F 391-84用稳态表面光电压法测定硅中少数载流子扩散长度的标准方法F 398-77(1982)用等离子体共振极小值波长法测定半导体中多数载流子浓度的标准方法F 416-84抛光硅片中氧化诱生缺陷检测的标准方法256

F 419-84栅控和非栅控二极管的电压－电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法F 522-84用干涉相衬显微镜测量硅外延层堆垛层错密度的标准方法F 523-83硅抛光片目检的标准规程291

F 525-84用扩展电阻探针测量硅片电阻率的标准方法F 533-82硅片厚度和厚度变化的标准测试方法F 534-84硅片弯曲度的标准测试方法F 612-83抛光硅片表面清洗的标准规程325

F 613-82硅片直径测量的标准方法F 614-80光掩模制备中使用的光学透镜畸变的标准测试方法F 657-80用非接触扫描方法测量硅片翘曲度和总厚度变化的标准方法340

F 671-83电子材料晶片上参考面长度测量的标准方法350

F 673-80用非接触涡流检测器测量半导体晶片电阻率的标准方法355