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目录1

一、生产试制总结1

结温老化1

片状BN在数字集成电路扩散工艺中的应用9

高抗扰二——五进制计数器试制小结13

锁定触发器试制小结22

D64—765合格率分析33

片状BN使用点滴43

高温测试氖管显示47

称量计数51

二、译文52

硅器件的表面纯化52

关于半导体表面物理的几个问题62

发射极和集电极体电阻的迅速测定80

I2L将赶上C-MOS吗?82

高速集成注入逻辑86

I2L的基本特性与设计95

集成存储器105

扩散吸收硅中的金和铜119

用氢气燃烧的硅湿氧氧化134

无位错硅片的微小缺陷138

掺多晶硅的磷、砷扩散142

硅扩散过程中产生的晶格缺陷的控制146

管壳对集成电路表面稳定性的影响150

评价TTL电参数稳定性的一种方法162

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