《表2 XPS曲线中OV和OL峰的参数》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《Ce~(3+)掺杂Na_(0.5)Bi_(8.5)Ti_7O_(27)铋层状陶瓷的结构与电性能研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

在陶瓷表面通常存在三种OH基团:1)普通的物理吸附；2)破坏的化学键吸附；3)陶瓷表面氧空位形成类似于氢键的吸附。示意图如图4（a）所示，其中图4（a:i）表示样品表面的M–OH（M表示金属阳离子）；图4（a:ii）表示M–OH是由破坏的M–O形成的；图4（a:iii）表示由表面氧空位形成的Vo–OH。目前通过测试手段直接检测陶瓷表面氧空位浓度十分困难，因此通过表面OH基团的含量间接表示氧空位含量。图4（b）为NBT-BIT和NBT-BIT-0.06Ce陶瓷样品的O1s窄扫高分辨XPS图谱，所有光谱均呈现出不对称峰。通过Avantage软件对其分峰拟合得到2个独立峰，分别表示晶格氧（OL）和表面吸附OH基团（OV），OH基团间接表示氧空位含量，因此OV/OL比值可以简单表示氧空位的相对浓度[19-20]。表2列出了OV和OL含量参数，纯NBT-BIT陶瓷的OV/OL比值为3.18，NBT-BIT-0.06Ce陶瓷的OV/OL比值减小到1.15，由此表明Ce3+掺杂可以明显降低陶瓷表面的氧空位浓度。