《表2 ZGSiO系列样品TL峰的陷阱深度》

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《硅铬共掺杂尖晶石长余辉材料Zn_(1+x)Ga_(2–2x)Si_xO_4:Cr~(3+)中近红外余辉的增强及陷阱分布分析》

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其中，Tm是TL曲线中峰值位置对应的温度。根据热释曲线测算ZGO1-ZGSiO5样品的TL峰的陷阱深度，各峰最高点对应的陷阱深度结果如表2中所示。随着Si含量的增加，ZGSiO系列样品的I型和II型两个TL峰的陷阱深度与ZGO1基本一致。这表明Si的引入改变了基质的缺陷密度，但对缺陷的深度影响不大。