《表1 γ-Cu I∶Cl晶体的晶格常数及EDS测试结果》

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《Cl掺杂γ-CuI晶体生长及闪烁性能的研究》

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图7为所制样品的XRD图谱。图7（a）表明γ-CuI∶Cl单晶的衍射峰分别与γ-CuI标准卡（JCPDS PDF No.06-0246）的对应峰位一致，并且最大显露面为（111）面。将氯掺杂浓度分别为0.0mol%、1.0mol%、3.0mol%、5.0mol%的单晶研磨成粉末状，其物相分析结果如图7（b）所示，各掺杂浓度的晶体粉末的衍射峰均与标准卡（JCPDS PDF No.06-0246）的对应峰位相吻合，且未发现其他物相。图7（c）为（b）中衍射峰（111）的局部放大图。相比于未掺杂的晶体粉末，氯掺杂的晶体粉末的（111）衍射峰明显向右偏移，并且随着掺杂浓度的升高，衍射角逐渐向大角方向移动，表明Cl-已进入γ-CuI晶体中，晶格发生了畸变。不同氯掺杂浓度晶体的晶格常数如表1所示。其中，晶格常数随着掺杂浓度的增加而逐渐减小，这是因为与I-相比，半径较小的Cl-进入γ-CuI晶格，填补或占据了I-的格位。