《表2 工艺改进前后晶体晶格参数测试情况》
晶格参数测试情况表明,改进工艺后获得晶体有更好的低应力特征。
图表编号 | XD00113284500 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2019.10.25 |
作者 | 张志坚、池蓉、罗凤灵 |
绘制单位 | 云南云芯硅材股份有限公司、云南科力新材料股份有限公司、云南云芯硅材股份有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
晶格参数测试情况表明,改进工艺后获得晶体有更好的低应力特征。
图表编号 | XD00113284500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.10.25 |
作者 | 张志坚、池蓉、罗凤灵 |
绘制单位 | 云南云芯硅材股份有限公司、云南科力新材料股份有限公司、云南云芯硅材股份有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |