《表2 抛光片抛光效果对比》

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《雾化施液单晶硅互抛抛光速率实验研究》

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根据上述实验结果，得到最佳的抛光参数，具体数值为:p H值为10.5、H2O2浓度为2%、抛光压力为7 psi、转速为60 r/min。在该条件下分别进行雾化施液单晶硅互抛实验和传统化学机械抛光实验，分别计算抛光片的抛光速率，并测量抛光后硅片的表面粗糙度，结果如表2所示。