《表3 产物吸附盐酸四环素层间距的变化》

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《反应条件对镁铝水滑石制备和吸附性能的影响》

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晶化温度110℃，制备的产物吸附盐酸四环素前后XRD谱图，见图9；层间距的变化，见表3。从图9可看出，吸附前后产物的（003）、（006）、（009）、（110）面衍射峰并未发生大的偏移，杂相衍射峰未改变，说明产物层状结构没有改变；产物的（003）、（006）晶面衍射峰吸附后衍射强度相对变弱，（009）晶面衍射峰相对变强，说明盐酸四环素进入层间并使层间的电子云分布发生改变，层间距变大（表3）。