《表3 Flash接口擦写时序参数》
本控制器设计了工作频率寄存器T1US_REF,含义是1μs需要多少个时钟周期,如果为60 MHz,则配置该寄存器为60,如果为100 MHz,则配置该寄存器为100。内部的微秒级的各时序参数会自动以该寄存器为基准同步变化,这样就减少了软件根据不同频率频繁修改多个时序参数寄存器的复杂度。擦写时序参数如表3所示。
图表编号 | XD0086306000 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.10.06 |
作者 | 徐立国、李德建、于宝东、杨立新、王小曼 |
绘制单位 | 北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室、北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心、北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室、北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心、北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室、北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心、北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室、 |
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