《表1 擦写耐久和数据保持试验方法要素》
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《浮栅型NAND FLASH存储器擦写耐久与数据保持试验方法研究》
基于NAND FLASH的工作原理，梳理擦写耐久和数据保持试验方法要素，包括失效模式、失效机理、试验类型和影响因素等，详见表1。
| 图表编号 | XD00217331000 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2020.12.01 |
| 作者 | 刘振旺、刘岐、刘文宝、肖磊、李清 |
| 绘制单位 | 中国航天标准化研究所、上海复旦微电子集团股份有限公司、中国航天标准化研究所、上海复旦微电子集团股份有限公司、上海复旦微电子集团股份有限公司 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
