《表1 全桥电路300Ω负载功率测试》

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《175℃功率MOSFET场效应管在核磁共振功放电路中的应用》

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发射器提供的直流高压VCC=1 200V，即En=600V，-En=-600V。发射频率为1 MHz，1ms内发射高频段占33μs。功率MOSFET场效应管型号为APT14M100B，全桥功率放大电路直接接300Ω负载进行测试。图2为300、600V直流高压输入对应的输出高压波形。可见，该芯片满足设计需求。其中，不同高压输入时，根据式（11），高频段的平均功率PD（理论输出功率）及发射效率计算见表1。