《表3 不同温度仿真得到的dVGS/dt值》

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《仿真研究温度对GaN MOSFET瞬态特性响应》

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令栅极电阻R1=100Ω，其他条件不变时，温度取值分别为-20℃、0℃、40℃、80℃、100℃，仿真可得到导通和截止时dVGS/dt数值，仿真所得数据如下表3所示。由公式（1）可知，阈值电压与温度的函数关系主要由费米势ΨB和本征载流子浓度ni随温度的变化有关，且公式（3）表明电离杂质浓度和材料的本征载流子浓度会影响费米势，而公式（4）显示了本征载流子浓度是温度的函数，本征载流子随着温度的升高而增大。