《表1 光盘表面材料TD-IR数据 (303～393 K)》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《光盘表面材料三级红外光谱研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

注:“↑”代表随着测定温度的升高，光盘表面材料官能团对应的红外吸收强度增加；“↓”代表随着测定温度的升高，光盘表面材料官能团对应的红外吸收强度降低；“—”代表在该频率附近，没有发现明显的红外吸收峰.

3 000～2 800 cm-1频率范围内，首先开展了光盘表面材料的一维TD-IR的研究.研究发现随着测定温度的升高，νas CH3-one-dimensional和νs CH3-one-dimensional对应的红外吸收频率出现了蓝移，相应的吸收强度进一步增加，见图3（a）；进一步研究了光盘表面材料的二阶导数TD-IR，见图3（b），其谱图的分辨能力有了一定的提高，其中νas CH3-second-derivative和νs CH3-second-derivative对应的肩峰可以很好地进行区分.而随着测定温度的升高，光盘表面材料νas CH3-second-derivative和νs CH3-second-derivative的红外吸收频率蓝移，而对应的红外吸收强度略有下降，相关数据见表1.研究发现:光盘表面材料νas CH3和νs CH3的一维TD-IR和二阶导数TD-IR存在着一定的差异，这主要是因为二阶导数TD-IR是基于一定的数学模型和假设，其谱图分辨能力通常要优于相应的一维TD-IR.