《表3 选择性参数：As(Ⅴ)离子印迹有机-无机杂化材料的制备及其对As(Ⅴ)的选择性吸附》

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《As(Ⅴ)离子印迹有机-无机杂化材料的制备及其对As(Ⅴ)的选择性吸附》

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在相同的实验条件下，具有相同功能基团的非印迹和印迹杂化材料对As（V）选择性有显著性的差异（表3）。As（V）与Cu（II）、Pb（II）、Cd（II）和Sb（V）的相对选择性系数分别为5.9、9.1、8.3和13.6，与非印迹杂化材料相比，印迹杂化材料展现出较好的选择性识别As（V）离子的能力。这归结于印迹杂化材料表面所生成的As（V）印迹空穴起到了特异性识别的能力，能够选择性地结合溶液中的As（V）离子。选择性大小依次为Sb（V）>Pb（II）>Cd（II）>Cu（II），这主要与4种金属离子与氨基的结合能力有关。Cu（II）、Pb（II）和Cd（II）与氨基能够发生配位作用，Sb（V）与氨基能够发生静电作用，配位反应的作用力明显高于静电作用。从印迹和非印迹杂化材料的Kd（X）值就能看出，Sb（V）的值明显小于其他三种金属；对于Cu（II）、Pb（II）和Cd（II），氨基的与Cu（II）的配位能力最强[15]，因此Cu（II）的干扰也相对最大，导致印迹杂化材料对Cu（II）的选择性最小。