《表3 不同发火电压下陶瓷飞片速度等参数》

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《低温共烧陶瓷爆炸箔起爆芯片的设计、制备与发火性能》

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表3为不同发火电压下的陶瓷飞片速度等参数以及飞片的能量利用率。从表3可知，在发火电压为2.0 kV时，飞片加速到其最大速度的位移小于加速膛的高度H=300μm，即飞片飞出加速膛口时，速度已达到最大值；但当发火电压大于2.0 kV时，飞片在加速膛出口处的速度尚未达到最大。分析其原因:随着发火电压的升高，桥箔的电爆程度越剧烈，产生的高温高压等离子的数量越多，对飞片的驱动力越大，使得飞片在加速膛出口处的速度尚未达到其峰值；但是由于飞片速度的提高所带来的飞片动能的增加不足以弥补总能量的损耗，因此在2.0 kV的发火电压下，飞片的能量利用率最大。在实验过程中，可以通过适当提高加速膛的高度或降低发火电压，来确保飞片以其最大的速度飞出加速膛口，从而保证飞片能量的最大利用。