《表2 不同充电电压下出口速度误差》

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《电磁发射磁探针阵列位置分布及姿态优化》

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式中:vln为电枢速度曲线拟合的电枢出口速度；vs为电磁发射系统仿真模型得到的理论电枢出口速度；ele为电枢速度曲线的出口速度理论相对误差。改变仿真实验条件，使得充电电压从1 500 V开始，每次增加300 V，直到3 000 V，得到出口速度相对误差如表2所示。由表2可以看出，电枢曲线的出口速度理论相对误差能控制在5‰以内。