《表1 三款主流MOCVD反应室比较》

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《MOCVD反应室无镓无铝环境的获得及重要性分析》

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三款主流MOCVD反应室比较见表1，结合图1与表1可知，AIXTRON G5气流水平流动，预反应行程长，预反应大，预反应颗粒物落至衬底表面，影响异质外延生长的晶格继承；Veeco K465i气流虽为垂直喷射，但喷淋头表面与石墨托盘间距75 mm，预反应行程较长，预反应较大，另外，石墨盘转速高达1000 rpm，易使反应室侧壁、尾气系统的颗粒粉尘回流至外延层表面。Thomas Swan CCS MOCVD，为垂直喷射，石墨与喷淋头表面间距仅为11 mm，预反应行程短，预反应小。高铝外延生长易受预反应影响，比较分析可知，Thomas Swan CCS MOCVD最适合GaN-on-Si LED外延生长[15-18]，故本文选用Thomas Swan CCS MOCVD。