《表1 InAs基探测器的基本材料和结构参数》

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《基于液相外延的InAs基红外探测器InAsSbP阻挡层的仿真》

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所采用的器件结构如图1所示，其中λ为入射光波长，P为入射光功率。假定器件侧表面作了钝化处理，可将其作为绝缘表面，器件暗电流仅包括器件内部暗电流。吸收层组分选为InAs0.89Sb0.11（对应的室温截止波长约为4.6μm[5]）。参照文献[5，13]设定器件结构的仿真参数，如表1所示。仿真中用到的InAs基材料的物理性能参数如载流子有效质量、迁移率等参照文献[14]。