《表2 等离子体后处理时间》

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《离子后处理对TiO_2光学薄膜及损伤特性的影响》

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实验使用Leybold ARES 710电子束真空镀膜机制备TiO2薄膜。在薄膜沉积之前，用丙酮仔细地清洗K9基板，并用离子源对基底进行离子清洗。在薄膜沉积的过程中，设备腔室的真空度为3×10-3 Pa，基底温度为150℃，TiO2沉积速率为0.2nm/s。为防止TiO2在镀制过程中失O形成其它价态的Ti，在镀膜过程中引入流量为28.9mL/min的O2气体。TiO2薄膜镀制完成后，在腔室中进行原位等离子体后处理。等离子体后处理采用纯度为99.99%的O2气和Ar气，O2流量和Ar流量比为1∶1，通过离子源电离产生O和Ar等离子体。实验中，离子源的具体参数如表1所示，具体处理时间如表2所示。