《表1 硅半球腔圆度测试结果》

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《基于硅各向同性腐蚀工艺的三维曲面壳体微谐振器制备技术》

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制备后的3D曲面壳体结构很脆弱，在测量时极易损坏。通过模具的几何形貌来反映曲面壳体结构的几何形貌是国际上较为通用的方法。为充分验证制备的多晶硅3D曲面壳体结构的对称性，利用实验室自制的圆度测试设备对硅片上不同位置处的硅半球腔结构的圆度进行了测试，深腔圆度普遍在0.5%左右，最好的优于0.4%，如表1所示。国际上硅半球腔的圆度普遍在1%左右，最好的优于0.5%，其中乔治亚理工制备的谐振器圆度为0.66%，数字除噪后为0.44%[9]，加州大学制备的谐振器的圆度为1.2%[11]，犹它大学制备的谐振器圆度为1%[17]。