《表1 Ti层厚度与比接触电阻率的关系》

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《铟镓砷与金属接触形貌异常分析和改进》

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金属膜层溅射中，Ti为半导体与金属层的附着层，增加其厚度可以增加粘附力，减少界面空洞，因为增加Ti层厚度可以减少膜层的晶隙，防止高温下半导体材料的熔出，但Ti层厚度不能太厚，随着Ti厚度的增加比接触电阻率会先减小后增大，这是因为Ti层较薄时膜层存在较多的晶格间隙，对载流子的运动阻力大导致比接触电阻率高，随着Ti层厚度的增加比接触电阻率减低，随着其厚度继续增加，由于Ti本身体电阻的存在，比接触电阻率再次增大[8-9]。经试验验证Ti厚度为40 nm时比接触电阻率最低，试验结果见表1。