《表1 SiCf/Ti65复合材料在不同热暴露状态下的界面反应层厚度》

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《SiC_f/Ti65复合材料界面反应与基体相变机理》

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（μm）

利用SEM对SiCf/Ti65复合材料不同热暴露状态的界面反应层厚度（图11所示）进行测量，结果列于表1中，据此描绘出了x-t1/2关系曲线，如图12所示。可见，650、750和800℃热暴露曲线均呈现出直线特征，而900℃热暴露曲线则呈现双直线特征，且界面反应层长大速率常数更大，这是由于在900℃以下温度热暴露全过程以及900℃热暴露50 h之前，复合材料中纤维仍有残余未消耗的C涂层保护，而当900℃、50 h之后，纤维C涂层完全耗尽，界面反应加速[30]，故长大速率常数明显增大。对650、750、800和900℃（900℃、50 h之前）热暴露的x-t1/2曲线进行线性拟合后，计算得到的k值分别为0、3.86×10-10、9.37×10-10和16.60×10-10m/s1/2，对比可知，在C涂层未耗尽前，随着热暴露温度的升高，直线斜率k增大，界面反应加剧，表明随环境温度升高复合材料界面稳定性下降。另外，在650℃时k值为0，意味着SiCf/Ti65复合材料在此温度以下界面稳定性良好，可长期稳定服役。