《表2 S参数测试结果和仿真结果的比较》
比较图9(a)和图5(a),结果如表2所示。在S参数测试结果中,电路中心频率为9.2 GHz,较仿真结果右移0.2 GHz;回波损耗S11在中心频率处优于-30 d B,在8 GHz处优于-11 d B,在9.5~10.5 GHz频段内有较大的波动,在10 GHz处上升到了-10 dB,继而在10.5 GHz处下降到了-18 d B;插入损耗S21和S31均在-5 dB左右,两者相差约0.8 dB;隔离度S23在8.7~9.3 GHz内优于-10 dB,同仿真结果相比略有优化。比较图9(b)中的相位测试结果和仿真结果可以发现,两个输出端相位始终保持S21的相位超前S31的相位180°,两端口的输出信号反相。总体而言,测试结果与仿真结果基本一致,符合3.2节对相移特性的论述。测量结果和仿真结果之间的偏差主要由三个原因引起:一是开放电路所致的辐射损耗;二是测试中同轴接头引入的误差;三是加工工艺的误差。本文已通过全波仿真消除辐射损耗中的仿真误差,通过校准消除了同轴接头引入的误差,加工工艺的误差通过提高加工精度消除。
图表编号 | XD0054893400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.06.28 |
作者 | 童荥贇、姬五胜、王林年、姬晓春、张志悦 |
绘制单位 | 天津职业技术师范大学电子工程学院、天津职业技术师范大学天线与微波技术研究所、天津职业技术师范大学电子工程学院、天津职业技术师范大学天线与微波技术研究所、天津职业技术师范大学电子工程学院、天津职业技术师范大学电子工程学院、天津职业技术师范大学天线与微波技术研究所、天津职业技术师范大学电子工程学院、天津职业技术师范大学天线与微波技术研究所 |
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