《表1 掺杂Sc, Ta, Nb的Sr Co O3-δ的阴极材料电导率 (S·cm-1)》

《表1 掺杂Sc, Ta, Nb的Sr Co O3-δ的阴极材料电导率 (S·cm-1)》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《SrCoO_(3-δ)基阴极材料掺杂改性的研究进展》


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在B位适量的Nb掺杂可以把Sr CoO3-δ的高温相(立方结构)稳定到室温[22,32].这是因为高价态阳离子部分取代Sr CoO3-δ中的B位元素,可以使A,B位阳离子半径的值更接近,使得容忍因子更低,立方结构更稳定.类似的可以稳定结构的高价元素还有Sc3+,Ti4+,Sn4+,Ta5+,Sb5+,Mo6+等[33].但高价掺杂的含量对阴极性能有很大影响,高价掺杂限制了BOB键的载流子传导,导致电性能下降[34].贺天民[35]曾研究过SrCo1-yTiyO3-δ的电化学性质.结果显示,当y=0.05时,在300℃下电导率达到430 S·cm-1,而未掺杂Ti4+的Sr CoO3-δ的电导率在850℃时仅为34 S·cm-1.但是,当Ti4+的掺杂量增大时,电导率反而降低了.其它相似的规律见表2[36-38].且高价态掺杂也会提高阴极材料的氧还原反应活性,降低阴极材料的热膨胀系数[39].邵宗平等人[40]报道了Sc掺杂SrCoO3-δ的阴极材料,从室温到1 000℃的平均热膨胀系数仅为16.9×10-6K-1,这是因为Sc掺杂使得Co4+缺失,这也使得中低温下晶格中氧空位浓度增加,极化电阻降低,550℃时极化电阻为0.206Ω·cm2,比同温度下BSCF极化电阻低52%.