《表3 图8 (a) 中位置2处的EDS分析结果》

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《基于双面TSV互连技术的超厚硅转接板制备》

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如前所述，在背面TSV互连工艺中，需要在种子层上光刻出RDL图形，然后采用保型性电镀的方式完成互连。电镀后经SEM观察，结果如图7所示。TSV的底部和侧壁铜厚度约为5μm，满足电镀要求，但是在TSV底部拐角处金属层因为光刻胶显影不洁而出现断开。通过能谱仪（EDS）分析可以看到一个最高吸收峰和一个次高吸收峰，它们对应的分别是碳元素和氧元素（图8）。图8（a）中位置2处EDS分析结果如表3所示，其中碳元素原子数分数为81.24%，氧元素原子数分数为17.21%，这两种元素主要来源于光刻胶，铜元素原子数分数仅占1.55%。导致负性光刻胶残留的原因可能有两个:一是显影时间不够，光刻胶没有足够的时间溶于显影液；二是负性光刻胶黏性较大，在孔内不易被去除。综合以上两种原因，为了消除显影不洁的问题，经过多次实验，需将显影时间由最初的120 s增加到240 s，并将浸没时的转速由10 r/min提高到15 r/min。