《表1 硅基低维材料探测器的性能对比Tab.1 Comparison of the characteristic parameters of the photodetectors based on s
基于硅的紫外灵敏材料包括与硅材料形成异质结的材料:石墨烯[76]、β-Ga2O3[77]、MoS2[78-79]、Ti O2[80-81]、ZnO[82]、Bi2Se3[83]、WS2[84]、In2Te3[85]等。目前,大部分研究工作基于单元器件开展,图5(a)~5(d)给出了单元器件的结构原理,表1给出了硅基低维材料探测器的性能对比。
图表编号 | XD0047196700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.01 |
作者 | 张猛蛟、蔡毅、江峰、钟海政、王岭雪 |
绘制单位 | 北京理工大学光电学院纳米光子学与超精密光电系统北京市重点实验室、华东光电集成器件研究所、北京理工大学光电学院纳米光子学与超精密光电系统北京市重点实验室、中国兵器科学研究院、北京理工大学材料学院、北京理工大学材料学院、北京理工大学光电学院纳米光子学与超精密光电系统北京市重点实验室 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
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