《表2 紫外增强硅基成像探测器的3种主要技术路线Tab.2 Three main technical routes for UV-enhanced silicon detectors》
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紫外成像探测技术发展离不开应用需求牵引和器件性能提升的推动。表2总结了硅紫外探测器的3种技术路线的特点以及其优缺点。
| 图表编号 | XD0047196600 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.02.01 |
| 作者 | 张猛蛟、蔡毅、江峰、钟海政、王岭雪 |
| 绘制单位 | 北京理工大学光电学院纳米光子学与超精密光电系统北京市重点实验室、华东光电集成器件研究所、北京理工大学光电学院纳米光子学与超精密光电系统北京市重点实验室、中国兵器科学研究院、北京理工大学材料学院、北京理工大学材料学院、北京理工大学光电学院纳米光子学与超精密光电系统北京市重点实验室 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
