《表1 2种传感器的部分性能参数表》
TMR传感器是以隧道磁电阻作为磁敏元件的磁传感器,与传统的Hall元件相比,TMR传感器具有功耗低、灵敏度高、线性范围广、温度特性好等优点。本文采用TMR2503型传感器。TMR2503传感器采用独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含4个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场垂直于芯片表面变化时,TMR传感器提供差分电压输出。TMR2503传感器与UGN3503型霍尔传感器的部分性能参数对比如表1所示。可以发现TMR2503传感器具有更高的灵敏度和更强的抑制温漂能力,且钢丝绳的漏磁场强度一般在0.1~20 mT,而TMR2503传感器的线性工作范围±30~±50 m T,因此选择TMR2503传感器更为合适。
图表编号 | XD0037928600 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.04.01 |
作者 | 朱良、谭继文、张义清 |
绘制单位 | 青岛理工大学、青岛理工大学、青岛理工大学 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |