《表1 四种动态比较器的指标》
表1列出了四种比较器的性能参数。仿真条件均为TSMC 0.18μm CMOS工艺,电源电压为1.8V,时钟频率为100 MHz,负载电容为10fF,共模输入为0.9V,输入差值电压为20 mV。可以看出,在功耗性能上,本文比较器具有绝对优势。相比于文献[4],本文比较器虽然在延时性能上稍微逊色,但功耗为26.13μW,仅是文献[4]的1/16。
图表编号 | XD0037903700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.20 |
作者 | 周万兴、刘昱、王云峰 |
绘制单位 | 中国科学院微电子研究所健康电子研发中心、中国科学院微电子研究所新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室、中国科学院微电子研究所健康电子研发中心、中国科学院微电子研究所新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室、中国科学院大学未来技术学院、中国科学院微电子研究所健康电子研发中心、中国科学院微电子研究所新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室、中国科学院大学未来技术学院 |
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