《表3 外电场作用下CF4分子电荷布居分布》

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《CF_4在外电场作用下分子结构及激发特性研究》

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表3为CF4分子Mulliken电荷布居分布，从表3可以看出CF4电荷布居数受电场影响明显，且各个原子电荷布居数受电场作用结果不同。在未加电场时，C原子电荷布居数为1.475 580，显电正性，F原子电荷布居数为-0.368 894，显电负性。随着沿X轴正向电场（-0.04～0.04a.u.）逐渐增大，C1电荷布居数先减小后增大，在电场为0a.u.时，电荷布居数最小，（布局数） 为1.475 577，F2电荷布居数随着电场增大逐渐减小，F3、F4与F5电荷布居数随着电场增加逐渐增大。电荷布居数改变是因为外电场改变了分子内部电子云相对位置，电荷分布发生变化，上述结果表明，随着沿X轴方向电场强度的增加，CF4分子内电子云先偏向C1后又远离C1，C电荷布局数先减小后增大，电子云偏向F2，远离F3、F4与F5，F2电荷布局数减小，F3、F4和F5电荷布局数增大。