《表7 外电场对CF4分子振子强度影响》
表7为CF4分子在电场作用下振子强度(即紫外吸收光谱强度[18]),振子强度反映了分子激发态激发能力的大小,即电子跃迁能力,振子强度越大,激发能力越强。未加电场时,CF4分子激发态1、2、3、7、8和9振子强度为零,属于禁阻跃迁,激发态4、5和6振子强度分别为0.179 5、0.176和0.176,属于允许跃迁,此时4、5和6激发态对应波长为78.43nm,此时紫外光谱吸收峰最强,这与文献[23]采用实验的方式测出CF4在80nm左右出现强紫外吸收峰的结论基本一致。随着沿X轴正向电场的增加,振子强度变化复杂。如电场为零时,7和8激发态真子强度为零,属于禁阻跃迁,电场为0.01a.u.时,振子强度为0.004 2和0.001 7,属于允许跃迁,电场为0.025a.u.时,振子强度又全为零。这表明电场改变了CF4分子振子强度,影响了分子激发态电子跃迁的能力,可以利用外电场改变分子紫外光谱强度。
图表编号 | XD0037733400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.25 |
作者 | 李亚莎、刘国成、刘志鹏、谢云龙、徐程 |
绘制单位 | 三峡大学电气与新能源学院、三峡大学电气与新能源学院、三峡大学电气与新能源学院、三峡大学电气与新能源学院、三峡大学电气与新能源学院 |
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