《表1 2\n\t\t\t\t\t\t4\n\t\t\t\t\t\t1 Am平面源的计数率和相对偏差Tab.1Counting rates and relative dev

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《多丝正比计数器工作气体压强变化对α、β表面粒子发射率测量的影响》

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利用多丝正比计数器测量α、β的计数率，首先需要通过测量高压坪曲线来确定相对应的工作高压。为此，在实验中采用小平面源241Am和90Sr/90Y，首先测量了在流气式工作模式下α、β高压坪曲线。结果表明，对应于α、β测量的高压坪曲线坪区分别为（350~1 050）V和（1 500~2 100）V，坪区计数率约为4 450 s-1和4 000 s-1。当多丝正比计数器内的工作气体压强变化时，直接影响电子离子对在探测器内的漂移速度，该漂移速度正比于探测器内的约化电场E/p。其中，E为电场强度，与工作电压成正比；p为探测器内压强。因此，当工作气体压强变化时，可以通过改变计数器工作高压来补偿由于压强变化对于电子离子对漂移速度的影响。为此，在表1、表2中分别给出了不同工作气体压强下，241Am和90Sr/90Y面源的α、β表面粒子发射率测量结果。其中对应的工作电压为经约化场强公式确定的电压，从而保证不同气压条件下的约化电场强度一致。