《Table 2 Comparison of HOMO-LUMO gaps, VIP of three-layer stacked base pairs GAG and GDG, calculated

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《腺嘌呤的氨基修饰增强DNA导电性的理论研究》

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*M06-2X/B3LYP presents M06-2X single point calculations using B3LYP optimized geometries.The above calculations were carried out with 6-311++G（d，p）basis set.

从表2列出的垂直电离势可见，GDG体系的VIP比GAG体系减小了0.49 eV，这说明GDG体系更易失去电子，也说明更易俘获空穴.从图5的自旋分布图可以看出，空穴俘获的位点就是双氨基修饰的碱基D，这说明修饰碱基D更易成为空穴跃迁的“中继站”，其原因还是由于腺嘌呤A的氨基修饰提高了体系的HOMO能级.