《Table 1 Comparison of the adiabatic ionization potentials (AIP) , vertical ionization potentials (V
表1列出了相应体系的垂直电离能(VIP)、绝热电离能(AIP)、变形能(Edef)和结合能(Eb).结果表明,修饰后碱基D的AIP和VIP相对于天然碱基A都变小了,甚至比天然碱基G的电离能还要小.这一规律与Okamoto等[53]的计算结果吻合.而碱基G是4个天然碱基中最易电离的碱基,即在空穴沿DNA链输运过程中,修饰后的碱基D更易成为空穴的一个中介点.电离能和能隙的减小说明修饰后形成的碱基D导电性应该优于天然碱基A和G,形成的配对碱基对DT的导电性也优于天然的碱基对AT和GC.计算得到碱基对DT的结合能要大于碱基对AT,这进一步说明,对于碱基对DT,新产生的第3个氢键增强了配对碱基之间的相互作用,但此结合能仍弱于碱基对GC的.这与实验[19,54]和理论报道[20]的稳定性的变化趋势相吻合.变形能的大小反映了体系在电离时其几何结构的松弛程度.双氨基嘌呤D的变形能略大于碱基A和G,但与碱基G的相接近.形成的碱基对DT的变形能略高于碱基对AT的,但小于碱基对GC的.这表明空穴在包含碱基D的DNA链上输运时,应该不会造成DNA链的较大变形.
图表编号 | XD0031440500 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.10 |
作者 | 程颖颖、刘海英、田宜耕、刘仲奇、李清新 |
绘制单位 | 济南大学物理科学与技术学院、济南大学物理科学与技术学院、济南大学物理科学与技术学院、济南大学物理科学与技术学院、济南大学物理科学与技术学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
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