《表1 寄生元件计算参数Tab.1 Calculation parameters of parasitic components》

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《SiC器件对并网逆变器EMC特性和效率的影响》

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理论与仿真EMC模型共模电压频谱的比较如图6所示。仿真和计算模型中SiC并网逆变器均工作于满载10 kW、600 V直流电压以及10 kHz开关频率。图6（a）为引入等效逆变器损耗的电阻之前理论EMC模型的共模电压频谱与仿真EMC模型共模电压频谱的对比。为了说明等效阻尼的影响，两者的频谱都在30 kHz～30 MHz频段，可以看到，由于寄生参数的影响，两者的共模电压频谱均在110 kHz的频率点产生了谐振峰，然而在此频率点处，理论模型的共模电压频谱峰值明显高于仿真模型。由图6（b）可以看出，引入了等效逆变器损耗的阻尼之后，理论模型的共模电压频谱在110 kHz的峰值频率点幅值显著下降，理论EMC模型的共模电压频谱趋势能够与仿真模型保持一致。