《表1 超宽带低噪声放大器电路元件参数值Tab.1 The circuit component parameter values of ultra-w ideband low noise amplif
在本文中,由式(1)~(6)可以计算出图1中元件的参数值。其中电感L2=0.88 nH,L4=0.63 nH。由于随着电路工作频率的不断升高,MOS管寄生电容对电路的影响越来越强,导致理论值与实际值会出现一定程度的偏差,进而导致电路的性能发生恶化。为防止这种恶化情况的发生,本文利用ADS软件中的遗传算法对电路中电感元件进行了优化,获得了各项性能指标最优时电路元件的参数值。具体的元件参数值如表1所示。图4所示为电感元件L2、L4优化前与优化后电路增益与噪声系数仿真结果的对比图。
图表编号 | XD0016828900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.11.05 |
作者 | 刘丹丹、马铭磷、蔡兴龙 |
绘制单位 | 湘潭大学信息工程学院、湘潭大学信息工程学院、湘潭大学信息工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |