《表1 XPS各元素的原子百分比》

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《N、B共掺杂MXene复合材料的制备及其电化学性能研究》

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图3是MXene和N，B-MXene的XPS表征。与MXene相比，热处理后的N，B-MXene的XPS图谱中，在约194 eV和400 eV处出现了两个峰，对应于B1s和N1s的特征峰，证明N、B被掺杂进MXene中。从XPS元素相对含量分析（表1）可知，N，B-MXene-300℃中N，B的含量最高，达到8.99%和7.69%，高于N，B-MXene-200℃和N，B-MXene-400℃中的掺杂量。这是因为，离子液体在300℃开始分解，分解产生的NH3和BH3等气体，掺杂进MXene中，而且温度升高，掺杂量升高。但是在400℃热处理时，高温导致MXene的发生了分解，所以含量略有降低。N 1s的拟合图显示，N，B-MXene-200℃，300℃在401.7 eV和399.8 eV有两个吸收峰，对应于N-Q和吡啶N的特征峰[23-25]。N，B-MXene-400℃除了N-Q和吡啶N的特征峰外，在388 eV处出现了吡咯N的特征峰。氮掺杂MXene表面边缘上的吡啶（N-5）和吡咯/吡啶酮（N-6）基团具有赝电容效应[26-27]，另外四元的N（N-Q）[28]增加了其电导性。