《表1 4H-SiC材料参数》

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《基于Sentaurus的SiC肖特基二极管模拟研究》

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肖特基接触中一个重要的参数为金属与半导体之间的功函数差，本文在模拟中利用金属铂作为肖特基接触的材料，在所设计的器件掺杂浓度下，功函数为6.35eV。其它主要的材料参数如表1所示[5]。