《表1 不同倍率物镜对应的空间分辨力》

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《半导体器件用显微红外热成像技术原理及应用》

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以InSb探测器为例，最早的显微红外测温装置受限于探测器的技术水平采用的是单探测器测温，并配备了高数值孔径的显微物镜，但是，其只能得到点测温的结果，并不能将高空间分辨力的图像测量出来[11]。为了实现高空间分辨力的成像测温，美国NIST在1990年报道了利用扫描式显微红外热像仪实现最高空间分辨力15μm的温度成像测量[12]。随着红外CCD焦平面阵列探测器生产技术的进步，显微红外热成像技术开始采用阵列式的焦平面探测器，其成像方式也转变为一次性凝视成像，不再需要扫描过程。焦平面阵列探测器经历了一个逐渐发展的过程，其阵列数从160×160[13]，256×256[14]，512×512[15]发展到今天的1024×1024。由于采用阵列式探测器和高数值孔径的显微镜头，显微红外热像仪已经可以实现几个微米的空间分辨力，这对测量结构微小的半导体器件时非常有利的。随着探测器阵列数的增加，显微红外热成像技术的空间分辨力和图像质量越来越高，能够提供更丰富的温度细节信息，目前，最新的显微红外热像仪配备了1024×1024的探测器，其空间分辨力最高可实现1.9μm。表1是1999年Grant C.Albright等在文献[14]中报道的256×256的InSb焦平面探测器显微红外热像仪的空间分辨力。