《表3 正交实验极差分析表Table 3 Range analysis of orthogonal experiment》
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《基于磁控溅射和ICP刻蚀的RB-SiC表面平坦化工艺》
为了确定三个影响因素的主次顺序，利用极差分析法对表2的实验数据作进一步处理，计算三种因素在三种不同水平下的两种评价指标所对应的平均值及极差值R的大小，结果如表3.
| 图表编号 | XD0023373800 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2018.03.01 |
| 作者 | 赵杨勇、刘卫国、惠迎雪 |
| 绘制单位 | 西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室、西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室、西安工业大学陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
