《表2 具体实验方案及数据Table 2 Specific experimental programs and data》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《基于磁控溅射和ICP刻蚀的RB-SiC表面平坦化工艺》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

实验前期，为了寻找满足膜层均匀性要求、沉积速率尽可能高的工艺条件，通过查阅相关文献[7-11]及初步的探索实验，将本底真空设定为2×10-3 Pa，靶基距为4.4cm，溅射时间8min，另外射频功率选取80 W、100 W、120 W三个水平，Ar流量选取40sccm、50sccm、60sccm三个水平，工作气压选取0.8Pa、1.0Pa、1.2Pa三个水平，设计了表1所示的因素水平表，按照表2所示的具体正交方案表进行实验，通过9组实验并利用Taly Surf CCI非接触式检测仪测量薄膜厚度及表面粗糙度，测量结果如表2.