《表1 DOE方法表格及实验数据Tab.1 DOE method table and experimental data》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《沟槽栅IGBT非晶Si填槽工艺研究与优化》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

沟槽非晶Si回填实验采用卧式LPCVD炉设备，非晶Si淀积工艺涉及的气体为纯度均为99.999 9%的Si H4，PH3和N2。为了获得优越填充能力的基准非晶Si填充工艺，本文采用PH3进行掺杂调制，抑制沟槽顶部及槽口侧壁的非晶Si淀积速率，提高槽底与槽口侧壁非晶Si厚度差值。本文所用到的基准非晶Si填槽工艺菜单共涉及5个因子:Si H4体积流量（qV，Si H4）、PH3体积流量（qV，PH3）、压力（p）、温度（θ）和淀积时间（t）。用MINITAB软件设计了5因子2水平实验方案，通过数据分析，找到影响非晶Si填充能力的显著因子及其影响规律。MINITAB软件设计的5因子2水平实验方案及数据如表1所示，表中1 Torr=133.3 Pa。