《表4 划痕试验参数Tab.4 Scratch test parameters》

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《单晶SiC微切削机理分子动力学建模与仿真研究》

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采用美国Hysitron公司生产的TI950纳米机械性能测试系统对单晶Si C晶片进行纳米压痕试验，试验参数如表4所示。通过二维电容传感器可测出刻划过程中的横向力、正向位移、正向力，横向位移数据则由带动工作台移动的压电陶瓷提供。电容传感器通过闭环系统保证法向力的匀速加载。划痕长度为250μm，划痕速度为8μm/s，探针半径为200 nm.仿真获得的切削力为800 n N，划痕力传感器分辨率为20μN，划痕过程切削力如图5所示。由图5可看出，切削力随刀具移动而增加，同仿真力趋势一致。