《表1 8级相位衍射微透镜台阶高度》

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《面向半导体器件的电化学微纳制造技术》

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针对CELT中超薄液层的电势分布问题，本课题组提出了基于接触电势诱导局域腐蚀原理的电化学纳米压印（ECNL）技术．图7为ECNL在GaAs表面的加工实例[40]．八相位衍射微透镜上的台阶都被完整、精确地转移到半导体表面，每个台阶的细节都相当清晰，加工精度达到了纳米量级（表1).GaAs的光电效应可以加速接触电势诱导刻蚀的速度，进而提高ECNL的效率．当GaAs晶圆片背面受到光照射时，由于光电效应，GaAs价带电子激发到导带，进而转移至模板电极Pt上，接触电场增强，刻蚀原电池的界面极化加剧，从而加速了GaAs的刻蚀反应的速率[48]．接触电势诱导的刻蚀严格地发生在金属/半导体/电解质溶液三相界面，一旦因为半导体刻蚀导致金属和半导体分离，刻蚀过程就会自动终止，因而能够保证加工精度．与传统纳米压印技术的物理填充成形工艺相比，CENL无需使用热塑性和光固化介质，无需任何辅助工艺，直接在半导体上实现三维微纳功能结构的模板成型，从而规避了目前介质材料“卡脖子”的问题．因此，在半导体微纳器件制造产业，它可以成为纳米压印技术的重要替代选项．