《表2 叠层氮化硅膜对太阳电池参数及PID衰减的影响》

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《n型高效抗PID太阳电池工艺研究》

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通过改变PECVD设备的气体流量比制备叠层氮化硅膜，底层氮化硅膜折射率为2.2，顶层氮化硅膜折射率为2.08。表2中列出了不同氮化硅叠层结构对应的太阳电池电学参数以及在-1000 V，85℃，RH85%，96 h条件下测试的PID衰减。采用叠层氮化硅膜的n型太阳电池可同时满足高效和低PID衰减的要求，当底层高折射率的氮化硅膜厚度控制在30 nm以内时，太阳电池效率无明显变化，同时PID功率衰减也可达到1.4%。