《表3 硼扩散方阻优化：硼扩散工艺对多晶黑硅效率的影响分析》

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《硼扩散工艺对多晶黑硅效率的影响分析》

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为了进一步分析不同浅结轻掺对电池转换效率的影响，进行了3组高方阻梯度实验（表3）。实验结果表明，黑硅背面硼扩散方阻对高效多晶电池片效率影响不大，但过低的方阻（205Ω）下效率较低。原因是过低的方阻意味着硼扩散会沉积更多的杂质，杂质过多，死层较大，不利于光电转换，同时电池片的载流子复合严重，少数载流子复合速率提高，直接导致低方阻下电池片效率较低。