《表1 3类SIR耦合对的特性比较》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《基于非对称耦合阶跃阻抗谐振器的高阶窄带超导平衡式滤波器设计》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

图9对比了3类耦合对结构工作在2.4 GHz基频下的共模抑制水平，可以看到，I，II型结构在2.4 GHz的CM抑制均约为-30 d B，III型结构约为-75 d B，大大优于其他两种类型.表1总结并对比了3类SIR耦合对的频率特性.通过比较，我们知道混合电磁（I型） SIR对可以通过设定间距sM在过零转折点P附近而不增加电路尺寸来获得弱耦合，从而有利于窄带设计.同时I型结构还适用于高次谐波抑制的设计.电主导（II型） SIR对具有与I型几乎相同的CM抑制，其结构便于与其他两种结构互连.磁主导（III型） SIR对与II型结构具有相同的DM谐波特性，但III型结构与其他两种类型相比，具有最佳的CM抑制特性，使其成为平衡滤波器设计的理想选择.另一方面，3类SIR耦合对均适用于窄带滤波器设计.还应注意的是，由于这些结构具有彼此兼容的互连性以及各自的相移特性，其在高阶级联设计中具有独特的灵活性.