《表1 SET轰击结点Tab.1 Nodes with SET strike》

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《交织结构的耐单粒子瞬变压控振荡器》

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文中VCO环路中各个延时单元完全相同，遍历结点轰击仿真只需通过对其中单个延时单元的电路结点进行遍历即可。针对文中的延时单元，其主要轰击结点如表1所示，每个延时单元包含三个信号结点和两个控制结点。由于文中所研究的某些电路结点同时与P型MOS管和N型MOS管的漏极连接，因此，当P型MOS管遭受轰击时，该结点可能发生电流注入，产生正向的电压波动，而当N型MOS管遭受轰击时，该结点可能发生电流输出，产生负向电压波动，本文对这两种状况都进行了模拟。